建設單位：華虹無錫半導體
項目地點：江蘇省無錫市
服務內容：深化設計
項目投資：100億美元（一期25億美元）
建設規模：總用地面積466485㎡；一期建筑面積63222㎡；一期潔凈室面積32450㎡
建設周期：2018-2019
項目產品：12英寸芯片（90-65nm）
項目產能：40K片/月
