建設單位:廣州粵芯半導體技術有限公司
項目地點:廣州市經濟開發區
服務內容:深化設計
項目投資:70億元(一期44億元)
建設規模:總用地面積140069㎡;一期總建筑面積119470㎡;二期潔凈室面積25000㎡
建設周期:2018-2019
項目產品:12英寸芯片(線寬0.14um)
項目產能:一期30K片/月