承建時(shí)間：2020/1/17—2021/5/31
建筑面積：FAB主廠房27.8萬(wàn)m2，項(xiàng)目總用地114.5萬(wàn)m2
潔凈面積：7.3萬(wàn)平米
潔凈級(jí)別：千級(jí)
承包范圍：1 號(hào)建筑（12 英寸存儲(chǔ)器生產(chǎn)廠房 1 FAB1）Stage1-3 范圍：含 BUS WAY、I-LINE 盤(pán)、ACB 盤(pán)、橋架、電纜、照明插座等；5 號(hào)建筑（綜合動(dòng)力站）、6 號(hào)建筑（廢水處理站 1）、8 號(hào)建筑、18 號(hào)建筑 Stage1-3 范圍；
項(xiàng)目概述：國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目位于武漢市光谷未來(lái)科技城內(nèi)，項(xiàng)目主要生產(chǎn)12英寸閃存芯片。本工程以設(shè)備采購(gòu)安裝為主，尤其以母線、插接箱、電纜、工藝盤(pán)柜（I-Line盤(pán)）、橋架的體量最大。
行業(yè)價(jià)值：長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢、上海、北京等地設(shè)有研發(fā)中心，通過(guò)不懈努力和技術(shù)創(chuàng)新，致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。
鳥(niǎo)瞰圖
實(shí)景圖